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    安森美半导体推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

口袋德州讯:

新的SiC MOSFET元件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作

 

 

【2020年3月11日】—推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:),推出另两个系列,扩展了其系列。 这些新元件适用于各种高要求的高增长应用,包括、、、和,提供的性能水准是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。

 

安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N型通道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管具有低反向恢复电荷,显著降低损耗,提高工作频率以及整体方案的功率密度。

 

小芯片尺寸进一步增强高频工作,达至更小的元件电容和更低的闸电荷-Qg(低至220 nC),从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于Si的MOSFET提高能效,降低电磁干扰(EMI),并可使用更少(或更小)的被动元件。极强固的SiC MOSFET比Si元件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能,从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命,这对高要求的现代电源应用至关重要。 较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性,减少元件导通时产生的静态损耗。

 

1200 V元件的额定电流高达103 A(最大ID),而900 V元件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用,安森美半导体的MOSFET可易于并联运行,因其正温系数/不受温度影响。

 

安森美半导体电源配置部功率MOSFET分部副总裁/总经理Gary Straker针对新的SiC MOSFET元件说:“如果设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标,他们需要高性能、高可靠性的MOSFET元件。 安森美半导体的WBG SiC MOSFET提升性能至超越硅元件所能提供的,包括更低的损耗、更高的工作温度、更快的开关速度、改善的EMI和更高的可靠性。 安森美半导体为进一步支持工程界,还提供广泛的资源和工具,简化和加速设计流程。”

 

安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物,针对汽车应用的元件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序(PPAP)。 所有元件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。

 

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关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:)致力于推动高效能电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体是基于半导体的解决方案之领导供应商,提供全面性的高效能电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、连线、离散元件、系统单芯片(SoC)及客制化元件。安森美半导体的产品帮助工程师解决在的独特设计挑战。安森美半导体拥有敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质专案,及一套严谨的审查标准和道德规范计划,在北美、欧洲和亚太地区的关键市场的营运网络更包括制造厂、销售办公室和设计中心。欲了解更多信息请参阅:。

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